中 CXMT "차세대 D램 기술 4F² 샘플 검증 완료"

중국 메모리 반도체회사 창신메모리(CXMT)가 차세대 D램 셀 설계 기술인 '4F²(포에프스퀘어)'와 관련해 주요 기술 검증을 마쳤다고 밝혔다.

31일 펑파이 등 중국 매체들에 따르면 CXMT는 30일 3분기 실적 설명회에서 4F² 수직 채널 D램을 기반으로 한 6세대 공정 기술 플랫폼의 엔지니어링 샘플 검증을 완료했다고 밝혔다.

엔지니어링 샘플 검증은 개발 중인 기술을 실제 웨이퍼에 적용해 목표한 성능이 구현되는지 확인하는 단계다.

이후 고객사 검증을 거쳐 양산 여부가 결정된다.

4F²는 D램의 미세화 한계를 극복하고 집적도를 높이기 위한 차세대 기술로 꼽힌다.

현재 D램 주류 아키텍처는 6F²인데, 6F² 아키텍처에 비해 셀 면적이 줄어 단위 면적당 셀 수가 늘고 메모리 집적도가 높아진다....